其实苹果这次我不相信内部测试的时候没发现这个问题
照理来说14奈米的功耗理当来说应该要小于16奈米的
我尽量用文组可以理解的方式说明
所谓的制程大小就是电晶体内闸极间(Source和Drain)length的长短
越短的话不但单位面积内可以放入更多的逻辑闸增加处理效能
也可以缩短等效电阻的总体功耗
这次苹果把他们的A9 CPU分别开给两家公司
相信两间开的光罩一定是不一样的
要是一模一样这不是小事 这应该不得了惹
至于有人可能会问说
欸欸 三星的制程比较短
效能应该照理说比较好挖
这一点是没错
三星在这次A9的CPU跑分是小赢大概1%~2%的效能吧o'_'o
http://goo.gl/JdRMws
从这张图可以发现三星的14nm制成有效的缩小整张CPU的大小
但是TSMC的面积大了8.5mm^2
所以说这两张CPU效能几乎可以说是一样的
好吧 来谈一下这次为人诟病的TDP问题
现在主流的半导体元件还是MOSFET为大宗
至于技术方面就是如何去排列堆叠内部的电晶体
现在主流技术就是多闸极电晶体
它的好处是在于说可以使用一个电极来控制多个闸极
也可以用多个电极来控制各个闸极
这个技术有效的解决了在电晶体在接近物理极限的制作困难
至于结构方面现在主流的方式是使用Fin-Fet这种电晶体结构
它的主要设计方向就是将导电通道设计在硅鳍里面
其大意就是把Gate包住了Source和Drain两个极端
这可以有效的大面积节省了制成空间
缩短了Length长短就等于缩短了多少制成大小
另外不同的结构也会影响到电晶体元件之间的效能
这些就是半导体厂商需去研发跟创新的地方了
回到正题
为什么三星的CPU会耗电呢
这就用一句话说明完整吧
技术不到、设计不良
上面说过Fin的技术是把Source和Drain两个包在GATE里面
但是这方面的结构跟排列方式都是要不断去研发跟测试才能做到越来越小的制程
如果做不好就会有漏电的现象产生
大家还记得三星在不知道多少奈米的制程上面惨输TSMC
他们在惨输之后把全部精力放在这次14奈米的制成上面
相反的TSMC选择在加强16奈米的结构性
至于结果就不用说了吧
反正结论就是
没那个屁眼 就不要做那个马桶
拉是拉得出来 只是你屁眼那么小 搞那么大的马桶
迟早有一天摔进粪坑的 就像今天的三星一样