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半导体材料瓶颈重大突破 我跨国团队登《科学》期刊
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前中研院研究员、台籍科学家李连忠组成跨国研究团队，发展出单层二硫化钼及单层二硒
化钨的完美P－Ｎ接面，可望广泛应用于极度微小化的电子元件，升级半导体产业制程，
该项研究成果发表于最新一期国际顶尖期刊《SCIENCE》中。
目前国际半导体大厂如Intel、台积电及三星等厂商最小元件技术大约落在7至10奈米 （
Technology Nodes）之间，如何克服制程微缩的难题并使材料创新，是带领半导体产业进
入下一个新世代的关键。
单层的二硫化钼具有良好发光效率，以及极佳的电子迁移率（可快速反应）与高开关比（
电晶体较稳定），可用于未来新型低耗能逻辑电路，极有可能取代目前使用的硅芯片做为
下一世代的主要核心元件。
本研究计画是一跨国大规模合作计画，成员包括我国、沙特阿拉伯、日本等，而李连忠
于2012年领先全球率先利用化学气相沉积法制备出高品质二硫化钼单层单晶，为此次成果
奠定基础。
论文第一作者李明洋表示，一般的电子与光电元件，如电晶体、二极管、半导体雷射、光
侦测器等都含有三维的P-N接面，经过数十年的研究发展，目前已广泛应用于日常生活中
，包括LED照明、医学、3C产品等。
李明洋指出，更低维度的二维单原子层的完美P－N 接面则迟迟未有进展，这项研究首次
报导如何有效控制二维接面的成长，不仅提供科学家新的基础研究平台，而其极轻薄透明
的特性，极有潜力应用于低耗能、软性电子与穿戴式电子元件中。
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