英特尔美光发表3D XPoint芯片 快1千倍
发稿时间：2015/07/29 09:16 最新更新：2015/07/29 09:16
（中央社旧金山28日综合外电报导）英特尔（Intel）与美光科技公司（Micron
Technology）今天发表1种新型内存芯片，据说速度比NAND Flash快1000倍，可能对运
算装置、服务与应用带来革命性的变革。
法新社与彭博报导，总公司都设在美国的英特尔与美光表示，3D XPoint芯片是1989年
NAND Flash（储存型快闪存储器）上市之后，25年来市面首见的主流存储芯片，速度比
NAND Flash快1000倍，储存资料的密度也比传统内存高出10倍，被誉为“重大突破”。
3D XPoint芯片已在制造之中，预计今年稍晚就能把样本送给潜在客户。
英特尔资深副总克罗希（Rob Crooke）表示：“数十年来，业界都在寻找降低处理器与资
料间lag时间的方法，容许更快速的分析。”
“这种新等级的非挥发性内存达到这个目标，对内存与储存解决方案带来改变游戏规
则的表现。”（译者：中央社郑诗韵）
http://www.cna.com.tw/news/ait/201507290048-1.aspx