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联电TSV技术步量产，获AMD绘图芯片订单
MoneyDJ新闻 2015-07-21 记者 新闻中心 报导
联电(2303)昨(20)日宣布，用于AMD旗舰级绘图卡Radeo R9 Fury X的联电硅穿孔(TSV)技
术，已经进入量产阶段，此产品属于AMD近期上市的Radeon R 300绘图卡系列。AMD
Radeon R9 Fury X GPU采用了联电TSV制程以及晶粒堆叠技术，在硅中介层上融合连结AMD
提供的HBM DRAM高频宽内存及GPU，使其GPU能提供4096位元的超强内存频宽，以及远
超出现今GDDR5业界标准达4倍的每瓦效能表现。
联电市场行销副总暨TSV技术委员会共同主席简山杰表示，AMD致力于将顶尖GPU产品带入
市场，具有丰富的成功经验；这次量产里程碑彰显公司与AMD在TSV技术上紧密合作下的成
果，并运用此技术的效能优势，协助AMD强化其新一代GPU产品。而AMD采用的TSV硅中介层
技术，系于联电设于新加坡的12吋特殊技术晶圆厂Fab 12i制造生产。
AMD资深院士Bryan Black 表示，此次顺利将联电TSV技术运用在AMD最新的高效能
GPU(Radeon系列)上，从开始研发以至量产阶段，联电皆采用创新技术打造客户产品，这
也是AMD选择联电合作硅中介层及相关TSV技术的关键因素。
此外，联电指出，AMD提供的GPU与HBM堆叠晶粒，皆置放于联电TSV制程的中介层上，透过
CMOS线路重布层(redistribution layer)与先进的微凸块(micro-bumping)技术，这些晶
片之间可于中介层彼此连通，因此得以实现AMD Radeon R9 Fury X绝佳的效能与位面积。
http://news.cnyes.com/Content/20150721/20150721090023655973312.shtml
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