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TechNews
2.完整新闻标题:
GLOBALFOUNDRIES 领先业界率先推出 22 奈米 FD-SOI 技术平台
3.完整新闻内文:
为满足下一代连网装置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES 13 日宣布推出一项特别
研发的最新半导体技术：“22FDXTM”平台，能达到媲美 FinFET 的性能和能效，成本
趋近于 28 奈米平面式（Planar）技术，让不断推陈出新的主流行动、物联网、RF
连结及网络市场有了最佳解决方案。
虽然有些应用会要求到 3D FinFET 电晶体最顶级性能，但多数的无线装置需要的是
性能、功耗和成本之间的最佳综合考量。运用业界率先推出的 22nm 2D FD-SOI 技术
（Fully Depleted Silicon-on-Insular；全空乏绝缘覆硅），22FDX 提供了成本敏感
应用最佳的选择途径。凭借业界最低 0.4 伏特的运作电压，达到超低动态功耗、更低
热效应，以及更精巧的最终产品尺寸规格。相较于 28nm，22FDX 晶粒尺寸缩减 20%，
光罩数目减少 10%；而相较于 foundry FinFET，更减少近 50% 的浸润式微影层。
GLOBALFOUNDRIES 公司营运长 Sanjay Jha 表示：“22FDX 平台让客户善用最佳的功耗
、性能和成本之综合表现，推出有别于市场的产品。22FDX 率先推出即时系统软件
可控制电晶体特性，系统设计师能够动态平衡功率、性能和漏电。此外，对于 RF 和
类比整合来说，这个平台提供了最佳的调整弹性同时具备最高的能源效率。”
22FDX 运用 GLOBALFOUNDRIES 在德国德勒斯登厂先进 300mm 生产线上 28 奈米高量
平台来生产。这项技术奠基于对欧洲最大的半导体晶圆厂近二十年的长期投资，并且
预示了德国硅谷地区发展的新扉页。
GLOBALFOUNDRIES 在德勒斯登发布的 FDX 平台上投资了 2 亿 5 千万美元作为技术发展
和早期 22FDX 产能建立，届时自 2009 年以来对于 Fab 1 总投资额将超过 50 亿美元。
同时也计画进一步投资以因应客户需求。此外，GLOBALFOUNDRIES 与研发团队和业界龙头
合作，共建稳健生态系统，不但加速产品上市时间并且提供 22FDX 系列各产品。
GLOBALFOUNDRIES22FDX 平台实现用软件控制电晶体特性，以达到在静态电源、动态电源
以及效能间作到即时调适。并包含一系列多元产品，符合不同应用需求：
22FD-ulp：针对主流低成本智慧型手机市场，超低功耗产品的功能提供了 FinFET 之外
另一种选择。透过基底偏压技术，22FD-ulp 比起 0.9 伏特 28nm HKMG，功耗能够降低
超过 70%，而功率和性能都媲美 FinFET。对于部分物联网和消费应用，平台可在 0.4
伏特下运作，并相较于 28nm HKMG 能减少 90% 的功耗。
22FD-uhp：运用类比整合的网络应用，22FD-uhp 能在最小能耗的情况达到与 FinFET 同
级超高性能。22FD-uhp 客制化设计包含顺向体偏压、应用最佳化金属堆叠和支援 0.95v
驱使电压。
22FD-ull：超低漏电性能适用于可穿戴和物联网装置，具备与 22FD-ulp 相似功能，将漏
电降至最低1pa/um。结合低运转功率、超低漏电和弹性基底偏压特性，能够开发出全新等
级，功耗大幅减低的电池供电穿戴装置。
22FD-rfa：此一射频类比产品提供更高的资料传输速率以及较低系统成本下 50% 的功耗
减省，能够满足包括 LTE-A 行动接收器、高阶 MIMO WiFi 整合芯片以及毫米波雷达在内
等大量射频应用极为严苛的要求。主动射频元件后闸功能则能降低甚至免除主要射频讯号
路径线路中复杂的补偿电路，射频设计者因而可以提取出更多内在的 Ft 效能。
GLOBALFOUNDRIES 与重要客户和生态系统伙伴密切合作，钻研最佳设计方法和完整的基础
与复杂专利开发。2016 下半年将开始提供设计初始套件和初版制程设计套件，以及进行
风险生产。
4.完整新闻连结 (或短网址):
http://tinyurl.com/ndn4ekx
5.备注:
起风了?
Samsung 授权 14nm FinFET给 GF
GF 授权 22nm FD-SOI 给 Samsung