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: 标题: [情报]IBM联手Samsung做出了史上最强的7奈米芯片
: 时间: Fri Jul 10 14:06:32 2015
: IBM联手Samsung做出了史上最强的7奈米芯片，台积电、Intel还在10奈米打转
: janus 发表于 2015年7月10日 11:20
: 根据纽约时报报导，IBM研究实验室宣布全球首款7奈米制程的原型芯片已经制作完成。而反观他们的对手，台积电今年年中才开始16奈米制程量产，而明年下半年则预计会开始10奈米制程量产，另外一家Intel也还在10奈米上面打转，使得IBM的进度超越了对手，专家预估最快两年后可以用在商业发展。
: IBM研究实验室是与他们的合作伙伴：三星、格罗方德（GlobalFoundries）和纽约州立大学纳米理工学院。一起宣布这项成果。根据 IBM半导体科技研究部的副总裁Mukesh Khare表示，这款芯片首次用一种叫做“硅锗”（silicon germanium，简称 SiGe）的材料，替代原有的纯硅，并采用了极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技术。
: 不过，EUV微影技术虽然已经推出几十年了，但由于光源不足的缺陷，至今仍无法提供制造芯片所需的良率与产能。去年在英特尔开发者论坛(IDF)上，英特尔院士Mark Bohr甚至表示，EUV“尚未准备就绪，其产能与可靠性都还未能到位。”
: 因此，这次IBM研究实验室所宣布的成就，也象征了EUV技术可能已经突破了瓶颈，也将会对未来整个产业产生关键的影响。
: 相较于10奈米制程，使用7奈米制程后的面积将缩小近一半，但同时因为能容纳更多的电晶体（200亿+），效能也会提升50%，IBM将有机会制造出世界上最强大的芯片。不过，IBM并没有提出7奈米付诸量产的时间表。
: 资料来源：NYT
SiGe这东西在45nm techmology的时候就已经引入为了做strain Si，
可是一只没有应用在通道上，在14nm这个节点，
元件gate length微缩下去已经不是太大的重点，intel从32nm到现在的22nm，
i7处理器的效能进步的很有限，没有像当年65进入45那样的大跃进，
当时65进45用了high-k metal gate，还有strain Si，
元件在基本物理上得到很大的进步，可是10nm以下元件的mobility Si的
极限就是在那边，结构再怎样猛都还是顶到天花板，
SiGe的通道材料，IBM应该是在Si上epi一层Ge，这东西问题很多很多，
学术界一缸子的paper，大家都在cline元件多猛多强，
业界需要的是稳定性，效能成长有个10%就相当猛，
实际上就是在epi的接口dislocation相当严重，真正通道层的影响非常的大，
而且一个chip有10的8次方个电晶体，这看了就是笑笑，
这通常都是宣示技术用，代表我可以做得到，
也有可能是当年0.18um噱到一个凯子，想说故技重施可不可以唬到第二个，
10nm以下基本上应该还是两三个solution在做抉择，
Si称霸了几十年也够了。
: http://www.techbang.com/posts/24637-ibm-announced-the-launch-of-historys-most-powerful-7-nano-chip-efficiency-than-todays-chips-4-times-times