※ 引述《frank40901 (就是不想被认出)》之铭言：
: 小弟也好奇一点
: 前阵子有人说在物理特性上10nm就是极限了
: 7nm是材料上有改良吗还是怎么一回事
: 另外想再问
: 看那么多回文 台GG 在1x 制程的良率大概在几%阿 有挂吗
唬烂一下.
其实Moore's Law早就失效了.
近几年讲的啥么32/28nm, 22/20nm, 16/14nm ...
通通只是半导体市场行销的名词,
跟28/20/14nm其实没有啥么关系.
这跟更早之前的制程用half M1 pitch或是poly pitch已经脱节了.
如果真的继续依照过去的标准,
例如用M1金属导线间隔的一半来做为新一代制程名称,
那Intel的14nm其实要叫做26nm, 三星/台积的14/16nm应该要叫做32nm.
很清楚的, 现在 XXnm不能拿来等同过去的结果.
所以回到到你的问题,
不管物理上的极限是10nm/7nm/5nm,
目前的"号称"10nm制程跟比物理上的10nm还是要大上不少.
因为大家都在吹牛,
但是务实一点来说,
Intel还是比较扎实一点,
而三星跟台积就更虚了.
但是,离那美克星球爆炸时间还有5分钟,
应该还有好几年不用担心的.
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