1.媒体来源: 联合新闻网
2.完整新闻标题: 台积16奈米进度 延后
3.完整新闻内文:
2015-01-12 经济日报 记者简永祥／台北报导
台积电供应链透露，二大强敌英特尔与三星动作频频，让台积电备感压力，甚至原订
密集装设16奈米制程生产线的时程，由今年上半年延至下半年。此举隐约透露台积电
以16奈米制程与三星的14奈米争取苹果A9订单的竞争，可能出现了新的变化
台积电于上月初的供应链管理论坛中，宣示二年在10奈米制程超越半导体霸主英特尔
，但在同月底的国际电子元件技术研讨会（IEDM）即遭英特尔打脸，在这项半导体重
要技术指标竞赛场中，英特尔的10奈米技术大幅领先台积电，业界预期台积电二年内
无法超越。
此外，三星也再次展现在14奈米与台积电一拼高下的决心，三星的14奈米良率大幅提
升，市场盛传三星可能挟高超的内存整合技术，重新赢得苹果青睐，再度携手合作
下世代A9处理器，抢单的企图让台积电备感压力。
台积电不愿针对客户订单及装机作业做任何评论，一切等到法说会向对外说明。台积
法说会订于本周四（15日）举行。
台积电去年即对自家16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）技术超越竞争对手引以自豪，
甚至强调16奈米制程与对手的竞赛已结束，重心全力放在10奈米FinFET等下世代先进
制程研发。台积电并透过成立“夜鹰部队”，投入24小时研发无缝接轨，力拼二年内
在10奈米制程一举超越英特尔，成为半导体新霸主。
台积电在IEDM展现16 FinFET+的工艺，强调芯片速度比前一代快15%、功耗低30%。
不过，在10奈米FinFET与英特尔的竞赛中，台积电公布的技术却远远不及英特尔。据
参与这项研讨会的半导体业者分析，台积电根本不可能在二年内超越英特尔，外传
台积电可能商请退休前主掌研发的蒋尚义回锅，重新擘划未来十年技术蓝图，这也
透露台积电在10奈米制程推进可能面临阻力。
去年8月，英特尔在IDF技术论坛发表14奈米FinFET制程，但台积电不甘示弱，随着
推出强化版16 FinFET+，并于去年11月率先导入试产成功产出海思半导体的网通芯片
，今年下半年将导入量产以安谋架构的手机应用处理器。台积电在去年的供应链管理
论坛，宣示今年将再砸下逾百亿美元的资本支出，投入16奈米量产线布建及10奈米制
程试产线作业。
4.完整新闻连结 (或短网址):
http://udn.com/news/story/7240/636626
5.备注:
每年intel来我们学校征才的时候
都会听到他们在炫耀他们的技术领先台积电几年
intel 在22奈米时就导入了 trigate技术（三年前）
(而且intel说trigate是finfet的进阶版，漏电更小）
台积到16奈米才导入 finfet技术，整整落后三年半以上
intel说台积常常呛说某个技术理论上行不通，绝对没有人做的出来
那时候举得例子好像是dry etch之类的
结果他们就做出来了
intel说他们以前也是以为一直把结构缩小就好了
结果他们就把gate间距缩到只剩三层原子（有TEM的照片）
结果表现没有比较好，所以他们了解到不需要每个东西都微缩
其实只要换材料找出更高特性的材料就好了
他们说他们把元素周期表里每个元素都研究过了
根据不同材料的特性，他们相信莫耳定律在10年内都不会有什么问题
台积在可行的技术上最佳化大概是世界第一
但是在新的技术上发展真的就被intel惨电
台GG感觉真的要GG了
话说台GG怎么都不来我们学校的就业博览会？
虽然有美丽的人资小姊来联络我～
很多学长都跑到intel了