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三星世界首次大量生产20纳米6Gb移动DRAM
李素娥 记者 2014.09.19 13:53
三星电子为占领茁壮生长手机市场而展开迅猛攻势，这次是半导体。9月18日三星电子表示
，在世界上首次开始适用于“20纳米工序”的6Gb移动DRAM大量生产。今年3月在业界首次
开始大量生产20纳米级电脑专用DRAM大量生产后，时隔六个月后又最先推出了手机专用
DRAM。由此，三星电子在抢先占领智能手机、平板电脑和可穿戴机器等迅速发展的高性能
移动市场上又占领有利先机。
移动DRAM是可以与相当于手机“大脑”的应用处理器(AP)迅速传送和处理数据的半导体。
所谓20纳米，在DRAM芯片里的电路之间的间隔只有20纳米(1纳米=10亿分之一米，相当于
头发丝直径的十万分之一)。电路间隔越小，越能减小整体芯片的大小，因此相同大小的
生产线上可以生产出更多的芯片。因此，20纳米移动DRAM比现有的25纳米级要小，但可以
节电10%以上，生产性提高30%以上。在一个芯片里可以放入更多的电路，因此存储容量也
会增加。
数据处理速度自然也更加快速。三星电子存储器事业部营销组长白志镐（音）说“这是能
引领正在迅速扩大的高性能移动DRAM市场的产品”。
率先占领移动DRAM市场的原因与市场和产业的大规模变化有关。
20世纪80年代初期，与电脑产业一同起步的世界DRAM半导体市场去年第三季度移动DRAM超
越电脑用DRAM。这是随着智能手机和平板电脑迅速普及开始的。
位居DRAM市场世界首位的三星电子将2010年达到53%的电脑用DRAM生产缩减到去年的22%，
将只有17%的移动DRAM生产比重提高到39%。
预计SK海力士今年的电脑用和移动用DRAM的比重将会分别逆转为28%和34%。
其结果在今年第二季度世界移动DRAM半导体市场上“韩国称霸”。三星电子以45.4%的占
有率保持第一位，SK海力士的市场占有率达到30%，打败美国Micron，时隔半年成功夺回
第二位。在移动DRAM市场上，韩国企业的市场占有率高达75.5%，美国(22.6%)或台湾(2%)
企业甚至拉响了“韩国空袭警报”。
三星电子将会从明年开始大幅增加20纳米DRAM生产量维持第一位，持续给Winbond、南亚
和Powerchip等占有率为1~3%左右的小规模企业造成巨大压力。