[考题] 电子学 FET电流镜 mattw166 PTT批踢踢实业坊

楼主: mattw166 (nmptr) 2016-10-15 16:03:55

http://i.imgur.com/ggVYjgR.jpg
像是红色框框的情况，是要有什么条件才会使得电流镜的 Iref=Io
我在想在有无early effect的情况下的差别?
还是fet电流镜的特性就会将Iref=Io?
请问有没有人可以解答

作者: dragon048 (dragon) 2016-10-15 16:29:00

以印象回答你，如果确定电流镜的FET完全匹配可以视为一样的，它的大小变化主要是取取于双方的K的比例如果为BJT的话因为有BETA效应故再算"纯直流"题目时不能视为一样个人推测两颗MOS匹配情况下就算考虑额利效应还是会一样因为匹倍的两颗MOS特性取线将一致

作者: cc102938 (CC) 2016-10-15 17:01:00

题目的Q4 = Q3 (也就是 K值 Vt都相同) Io=Iref

楼主: mattw166 (nmptr) 2016-10-15 19:22:00

我已经了解了!!!感谢D大和C大的解析!!!

作者: yainman (yainwoman) 2016-10-15 19:25:00

如果考虑early effect会不一样（因为Vds不一样），但是一般来说FET不考虑，而是考虑vt的效应！

楼主: mattw166 (nmptr) 2016-10-15 19:40:00

还有的是，bjt电流镜为什么beta趋近于无穷大会使Ic=Ie?还有想问一下，像Y大讲的，是在什么情况下VDS才会想同，我知道因为参杂方式的关系，vt会相同这样当p sub相同时vA会相同

作者: dragon048 (dragon) 2016-10-15 22:16:00

BETA趋近无穷大的话Ic=Ie请自行思考alpha跟beta的数学关系式

作者: cc102938 (CC) 2016-10-15 22:58:00

beta无穷大 alpha趋近于1

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