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内存族群全红！华邦电、力积电齐攻涨停且创新高；商丞拉第二根涨停
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内存族群全红！华邦电、力积电齐攻涨停且创新高；商丞拉第二根涨停
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原文内容：
摩根士丹利（大摩）最新报告指出，传统内存市场将在 2026 年下半年进一步转为明显
供不应求格局，供需缺口预估将由先前约 14% 扩大至 19～20%，带动 DDR4 与 NOR
Flash 报价持续上行。受此利多激励，今日（5/29）台股内存族群全面走强，盘面一片
红通通。
“DRAM 双雄”中的华邦电（2344）昨日重挫后强势反弹，今日直接锁住涨停 158 元，创
下历史新高；力积电（6770）盘中震荡翻黑后拉回，终场同样亮灯涨停至 88.7 元，改写
挂牌上市以来新高；模组厂商丞（8277）攻上第二根涨停，收在 8.61 元。
大摩报告点火内存行情　供需缺口扩大至20％
大摩的报告同时指出，资料中心与企业级 SSD 需求稳健成长，加上 AI 服务器带动 CPU
与储存需求，将支撑内存价格进入长周期上行循环，其中 DDR4 第三季涨幅可望达 20%
。
在投资评等方面，大摩维持华邦电、南亚科（2409）“优于大盘”评等，并大幅调升南亚
科目标价至 380 元、华邦电目标价上修至 222 元。
内存族群全面大涨　力积电成交张数与金额皆登上前五高
除了华邦电、力积电、商丞涨停外，“DRAM 双雄”南亚科（2408）劲扬逾 7%，领涨记忆
体族群；同时，群联（8299）、封测厂力成（6239）、模组厂宜鼎（5289）皆拉了逾半根
涨停，旺宏（2337）、华东（8110）及模组厂创见（2451）、广颖、凌航（3135）的涨幅
均超过 4％。
AI带动供需反转　DDR4、SLC NAND 成新焦点
大摩指出，内存市场正出现“供给下降＋需求上升”双重驱动。美光（Micron）与 SK
海力士持续将产能转向 DDR5 与 HBM，导致 DDR4 供给快速收缩，企业级 eSSD 需求反而
上升，SLC NAND 也因为其高速特性，在资料中心的应用开始明显增加，NOR Flash 亦因
为成熟制程供应紧缩而价格走高。
报告预估，未来两到三年供需缺口仍将维持在 18％～20% 区间，显示本轮上行循环具延
续性。
库存去化近尾声　法人看旺2026年旺季行情
产业面来看，内存产业已逐步走出长期库存调整周期，供应端减产效果逐渐显现，加上
传统第四季电子旺季的备货需求，有助于价格筑底回升。
此外，AI 服务器对高频宽内存（HBM）与大容量 DDR5 需求持续提升，也带动整体记忆
体市场结构性转变。
法人认为，本波行情已从“景气循环修复”升级为“AI 结构性需求驱动”，后续将关注
报价上行与法人筹码回补动能。
美系资金点火全球内存概念股　设备与封测同步受惠
除了台股内存族群，美系市场同样因 AI 内存短缺预期而全面走强。
美光股价因为分析师大幅上调目标价而飙升，带动半导体委外封装测试（OSAT）钜子艾克
尔（Amkor, AMKR）、自动测试设备与机器人大厂泰瑞达（Teradyne, TER）、先进半导体
探针卡大厂福达电子（FormFactor, FORM）股价皆上扬。
分析指出，内存扩产将推动设备与晶圆代工长期订单需求，形成从 DRAM、NAND 到设备
与封测的完整产业链行情。
AI内存进入超级循环　市场重估供应链价值
市场分析认为，AI 资料中心需求已改变内存产业的传统景气循环，长约订单增加（2～
3 年合约），HBM 导入也改变了获利结构，内存由“高度景气循环产业”转向“基础建
设型资产”。
在 AI 算力需求持续推升下，内存产业正进入结构性重估阶段，成为本波半导体多头行
情的核心主轴之一。
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大摩算是发了“认错”的新报告 XD
投资人似乎又把之前美光要重新扩产DDR4、台股内存倒成一团的事情抛诸脑后了
不过我还没有确认大摩今天的买进与卖出，该不会出报告后又偷偷倒货吧
但，总而言之，滑崩电创历史新高了，业绩其实还是堪忧的商丞又动了

冒险者公会含金量持续上升中

今天都跑去老AI的场子了 内存玩国外的

真的 就群联最烂