不参考坊间的小道消息
纯粹是以一个带有内存体质的晶圆厂
判断目前价位还算是偏低 （vs 二线晶圆代工厂）
也参考了日本硅晶圆厂的季度报告
未来12吋晶圆需求还是会因为Data center, 内存应用而增加
坚定不移！
※ 引述《gametheory (正直和善良会回来)》之铭言：
: 这边乡民应该很多都在半导体科技业
: 单纯从Foundry 技术来看，PSMC有12吋、有第三代半导体、以及有很大一部分的内存
业
: 绩加持（最近市场很火）
: 感觉应该比5347世界要有竞争力
: 所以预订的停利点是目前世界90元附近的价位
: 另外想请问，
: 世界目前只有8吋量产（12吋还没开始量产），为何股价还能这么高？
: ※ 引述《DrowningPool (My broken dreams)》之铭言：
: : 原文标题：力积电基本面优异 营运动能加速点火热到明年
: : 原文连结：https://money.udn.com/money/story/5710/9142008
: : 发布时间：2025-11-15
: : 记者署名：朱子呈
: : 原文内容：
: : 晶圆代工厂力积电（6770）上周强势补量上攻，自10日以来日K连续筑高、均线呈现
“5
: 日
: : ＞10日＞20日”多头排列，上周五（14日）收34.15元、成交24.8万张。驱动买气的
关
: 键
: : 在基本面讯号转佳，第3季亏损收敛、内存报价续扬，公司宣布11月起调整部分晶
圆
: 代
: : 工价格，市场预期第4季有望呈现量价齐扬态势，热度可望延续至2026年上半年。
: : 技术面维持偏多结构。10月中旬起MACD翻红后高档钝化，11月初柱状体虽一度收敛，
但
: : DIF仍在零轴之上；KD回到60至70区间反复钝化，均线上弯、短多惯性未破。价量来
看
: ，
: : 10月下旬的放量突破区间带来有效支撑，短线若能续守月线与10日线，续挑战前高的
机
: 会
: : 不低。
: : 观察近五日，外资买超逾9万张、自营商买超逾1.1万张，投信小幅转买，三大法人合
计
: 买
: : 超逾10万张。根据14日券商分点资料显示，买超前三大为港商野村、国票–天祥以及
新
: 加
: : 坡瑞银，买超张数分别为12,684张、5,203张以及3,688张，属于外资与券商交易部共
同
: 点
: : 火的格局，锁定强势股短波段。
: : 力积电近期举行法说会，总经理朱宪国当时表示，内存市况火热，利基型DRAM受产
能
: 排
: : 挤效应影响，价格持续上涨，预期第4季投片量与价格都会上升，涨价效应自11月起
开
: 始
: : 反应，内存动能可望将一路延续至明年上半年，有助改善获利。
: : 力积电预估，第4季产能利用率约与第3季持平，内存维持满载、逻辑相对偏弱。随
记
: 忆
: : 体价格反映效益发酵、先进封装布局成形，第4季获利持续改善，亏损逐季收敛。
: : 力积电透露，3D AI Foundry相关产品第3季已占营收约2%；多款中介层（Interposer
）
: 完
: : 成设计定案且试产良率达量产水准，将扩大投片承接高频宽、高密度需求；WoW与多
家
: 客
: : 户处于PoC阶段，预估明年下半年具备量产条件。这组讯息为股价提供中期支撑。
: : 以内存跟逻辑市场来看，朱宪国说明，AI带动HBM高阶内存需求爆发，利基型DRA
M
: 因
: : 大厂将产能转往HBM而受排挤，价格持续上涨；SLC NAND因三星与SK海力士减产，第3
季
: 价
: : 格谷底翻扬；NOR Flash因AIoT应用需求推升，有涨价迹象。
: : 综观盘势与消息面，短线有涨价与内存动能走强，中期则有先进封装与客户投片意
愿
: 转
: : 强。筹码虽进入高档换手，但主力仍以外资与大型券商为主，配合均线多头与量能不
失
: 控
: : ，若后续整理后放量突破35～37元区间，有望开启下一段行情。
: : 力积电10月合并营收41.34亿元，较9月39.52亿元增加约4.6%，年增约5.6%；累计前
十
: 月
: : 达383.69亿元、年增约2.3%。第3季合并营收达118.4亿元，季增5%、年增1.6%；税后
净
: 损
: : 27.28亿元，每股税后净损0.65元。
: : 心得/评论：
: : 莫非是年底到了 该懂得就懂了
: : Q3赔钱 法说会说Q4产能利用率差不多
: : 新闻跟我说基本面优异？
: : 不愧是台股 越＿越喷！！！！