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2025-11-02 18:58:20原文标题：AI驱动内存芯片超级周期来临！三星、SK海力士DRAM与HBM业绩大幅增长
原文连结：https://news.cnyes.com/news/id/6214385
发布时间：2025/11/2
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原文内容：
摩根士丹利研报指出，受人工智能（AI）需求驱动，内存芯片行业供需失衡加剧，预计
将开启持续数年的“超级周期”，到 2027 年全球储存市场规模有望突破 3,000 亿美元
，标志着新一轮产业周期的起点。
内存芯片历经近 13 年的周期性波动，每 3 至 4 年呈现一轮周期，目前正处于第四轮
。
前三轮由智慧型手机换机潮、3D NAND 产能转移及疫情带动的远端办公需求所推动，而每
轮高峰后均因供过于求或需求下降出现价格下滑。
自 2024 年起，AI 算力基建及 HBM 技术革命成为内存芯片市场的新动力，企业级 AI
资本支出成为主要需求来源，推动 HBM、DDR4/DDR5 及企业级 SSD 等市场大幅增长。
在此趋势下，三星与 SK 海力士等产业龙头展开新一轮激烈竞争，业绩迎来高速成长。
根据三星公布的第三季初步财报，2025 年第三季度营业利润达 12.1 万亿韩元，与去年
同期相比增长 31.81%，与前期相比大增 158.55%，创下自 2022 年第二季度以来的新高
。销售额达 86 万亿韩元，也刷新历史纪录。
SK 海力士第三季同期营业利润突破 10 万亿韩元大关，达 11.38 万亿韩元，与去年同期
相比增长 62%；营收 24.45 万亿韩元，与去年同期相比增长 39%；净利 12.598 万亿韩
元，三项核心指标均创历史新高。HBM 及高阶 DDR5 产品成为业绩增长核心驱动力。
据悉，双方已通知客户，2025 年第四季度 DRAM 及 NAND Flash 合约或现货价格将调涨
约 30%，以应对 AI 及云服务带来的高需求。
DRAM 市场格局：SK 海力士首度超越三星
2025 年第一季度，SK 海力士以 36.9% 的市占率首度超越三星，终结其 33 年 DRAM 霸
主地位，使 DRAM 市场格局正式进入双雄争霸的全新阶段。
第二季度 SK 海力士市占率进一步升至 39.5%，与三星的差距扩大至 6.2 个百分点。第
三季度财报显示，SK 海力士 DRAM 营收与前期相比增长 11%，与去年同期相比增长 54%
，以 35% 的占有率连续三季度稳居全球第一。
尽管在整体储存市场上三星略领先，但 SK 海力士在 HBM 市场仍占据主导地位，市场占
有率高达 58%，第三季度 DRAM 销售额中 HBM 占比达 40%。
公司计划第四季度开始交付次世代 HBM4 产品，并已锁定 2026 年 DRAM 及 NAND 产能需
求，预计出货量与去年同期相比增长超 20%，HBM 供应紧张将持续至 2027 年。
技术竞赛：High NA EUV 曝光机成新焦点
High NA EUV 曝光机为新一代芯片制造关键技术，可提供 1.7 倍精细电路图案及 2.9 倍
电晶体密度，提升 40% 光学精度，开启了半导体产业的下一章。
据悉，三星已购置 5 台 High NA EUV 曝光机，其中 2 台部署于半导体代工部，其余专
供储存部门。SK 海力士也将首款量产型 High NA EUV 引进韩国利川工厂。
在 DRAM 技术方面，SK 海力士已成功开发第六代 10nm 1c 制程 DDR5 DRAM，并在 HBM
及 DDR5 产品中应用 EUV 曝光机，提高良率与性能。
市场消息称，SK 海力士 1c DRAM 良率已达 80%-90%，为未来 High NA EUV 使用奠定基
础。
然而，三星第六代 1c DRAM 在 HBM4 上良率约 50%，仍在开发中。
与此同时，美光 (MU-US) 则采取不同策略，结合 EUV 与 DUV 技术逐步推进 10nm 以下
DRAM 制程，并计划直接进入 9nm 制程。
AI 合作带动 HBM 需求：OpenAI 星际之门计划
此外，三星与 SK 海力士已与 OpenAI 签署合作协议，成为“星际之门”（Stargate）全
球 AI 基础设施项目的核心合作伙伴。
该计划将建设 20 个 AI 数据中心，初始容量 20 兆瓦，支援 ChatGPT 等大型 AI 模型
运行。为满足高频宽需求，HBM3E 内存频宽可达 3.35TB/s，GPU 集群效率提升 30%，
延迟降低 20%。
双方将扩大内存产能，目标每月生产 90 万片 DRAM 晶圆，为现有全球产能的两倍，这
代表着新 HBM 工厂建设势在必行，同时可能压缩标准 DRAM 产量，因为 HBM 利润更高。
心得/评论：
台股光辉11月 行情全面启动！
内存行业供需失衡加剧，引爆超级周期，现在只是刚开始
内存卖一片赚一片，未来只能透过长约订芯片