海力士扩产3D NAND 杠三星
3D NAND市场的竞争日益白热化，为了不让三星电子日前宣布量产64层3D NAND快闪存储器专美于前，SK海力士正推动扩大72层NAND内存的生产，计划在韩国忠清北道省清州市的第二生产基地建造一条新的3D NAND产线，预期本月举行动土典礼，2019年开始营运。
三星电子上周以超越SK海力士之姿，宣布在韩国平泽厂开始生产64层V-NAND快闪存储器，这个时点也让三星电子得以在自去年第2季以来NAND内存供应吃紧状况下掌握优势。这种快闪存储器产品可连结智慧手机、平板电脑等所有行动装置，以及储存庞大资料。
市调业者IHS Markit的资料显示，目前三星在全球NAND内存市占为36.7%，东芝以17.2%排行第二，美国威腾电子和SK海力士则分占15.5%和11.4%。
韩国第二大芯片制造商SK海力士在2015年开始开发3D NAND芯片，大约落后三星电子两年，但以目前3D NAND技术研发速度和产能来看，SK海力士确信自己拥有很好的机会。
一位半导体业界资深主管表示：“谁先开发技术，谁就赢，SK海力士拥有技术量产目前全球最先进的72层256GB的3D NAND内存芯片，而且SK海力士生产的芯片品质已能和三星并驾齐驱。”
SK海力士10日并表示，已正式成立晶圆子公司“SK海力士系统IC公司”，专注于晶圆代工事业并深耕系统芯片产业。目前计划以开发8吋晶圆制程技术为主，拼争取更广泛的买家青睐。
韩联社报导，SK海力士系统IC公司股权全属SK海力士，未来将专注于晶圆代工业务，为其他没有晶圆厂的公司进行芯片设计与代工。
获利看俏 股价升势壮
【编译谢汶均／综合外电】全球第二大动态随机存取内存（DRAM）芯片制造商SK海力士（SK Hynix）的股价今年来虽已大涨49%，但市场仍看好该公司未来的股价表现，主因是SK海力士芯片销售的获利正快速成长。
资料供应商FnGuide 9日预估，SK海力士在6月底止的第2季营业利益接近3兆韩元（26亿美元），优于第1季的2.47兆韩元。
FnGuide也预测，而随着三星电子在第2季创下14兆韩元获利，较原先预测高出近1兆韩元，SK海力士在第2季的营利还可能再提高。
SK海力士股价10日收涨逾1%至每股6.73万韩元。
有进投资证券公司（Eugene Investment & Securities）预估，SK海力士今年全年的获利将达12.8兆韩元，即便不如三星电子的33兆韩元、英特尔的20兆韩元和台积电的14.9兆韩元，仍已较去年同期获利爆增291%。
SK海力士的利润率也高于三星等公司，因为SK海力士的主要营收来自用于电脑模组和行动装置的DRAM芯片，而随着供应紧俏，DRAM芯片的价格和需求自去年下半年以来节节上扬。
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