中时电子报
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晶圆代工谁技术领先？ 英特尔：我最强
2017年03月30日 04:10 涂志豪／台北报导
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台积电、三星、英特尔的晶圆代工比较
英特尔昨（29）日召开技术及制造大会（Technology and Manufacturing
Day），除了再度宣布10奈米Cannon Lake处理器将在下半年开始量产，重申
10奈米芯片集积度（density）是同业的2倍，大声呛声技术领先台积电、三
星等同业3年时间。
另外，英特尔也说明最新客制化晶圆代工（custom foundry）策略，以先进
14奈米及10奈米攻下在晶圆代工市场的滩头堡。
另外，面对台积电推出优化28奈米及16奈米技术的22奈米及12奈米制程，及
格罗方德（GlobalFoundries）22奈米全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）制程
，英特尔也推出22奈米鳍式场效电晶体（FinFET）的22FFL制程，并将其视为
进军晶圆代工市场的武器。
英特尔负责制造营运及业务的执行副总裁Stacy Smith，昨天在年度技术及制
造大会中，开宗明义强调摩尔定律仍然有效，且英特尔也因摩尔定律而维持
技术领先地位。英特尔14奈米制程虽然经历3个产品世代，但第三代14奈米制
程（14++）生产的芯片运算效能，已经很接近第一代10奈米制程。
Stacy Smith说，英特尔技术仍依循摩尔定律前进，如10奈米的处理器芯片尺
寸已缩小至7.6平方公厘，只有14奈米芯片的0.43倍。英特尔10奈米的最小闸
极间距已缩小至54奈米，最小的金属间距亦缩小至36奈米，而却可以在每一
平方公厘芯片尺寸中，达到1.008亿个电晶体的集积度，这不仅是14奈米的
2.7倍，也是其它同业10奈米芯片集积度的2倍。
英特尔资深院士Mark Bohr指出，英特尔的制程微缩是跟着摩尔定律走，但部
份同业在同一芯片尺寸的集积度没有明显提升情况下，却喊出已推出10奈米
或7奈米制程，让制程节点的名称失去意义。若由金属及闸极间距、芯片集积
度等指标来看，同业的10奈米只比英特尔14奈米好一点，但仍远远落后英特
尔10奈米约3年时间。
(工商时报)