应材 推全新光照蚀刻系统
全球最大设备厂应用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蚀刻系统，为业界所需
的新一代光微影术光罩蚀刻技术，继续精进多重曝影尺寸缩放至10奈米以下。
应用材料表示，Centura Tetra Z系统所提供的光罩蚀刻技术，首创能够进行10奈米以下
四重曝影的解决方案，独步业界；世界级的光罩蚀刻效能与缺陷控制技术，符合逻辑与记
忆体装置的先进图案制程技术要求。
台积电虽然有意在10奈米及7奈米的部份光罩层导入极紫外光（EUV）新技术，但是10奈米
及7奈米的主要微影技术仍会以浸润式（immersion）多重曝影技术为主。所以，应用材料
此次推出新一代光罩蚀刻系统，可支援10奈米以下，正好符合台积电及英特尔等国际大厂
需求。
应用材料表示，Centura Tetra Z系统透过新机台而再次扩充功能，提供所需的线宽（CD
）参数“埃（angstrom）”等级光罩精密度，满足未来逻辑与内存装置严苛的图案制程
规格。应用材料光罩蚀刻产品处总经理瑞欧．耶拉曼奇里（Rao Yalamanchili）表示，蚀
刻技术是制造光罩的关键，使用193奈米波长来制作10奈米或7奈米的图案，需要各种最佳
化技术，包括浸润与多重曝影，高度仰赖光罩的运用。
Centura Tetra Z系统是最先进的光罩蚀刻技术，运用精密材料工程及电浆反应动力学的
精进科技，扩充了193奈米（193nm）微影技术的应用，能为新一代光学光罩蚀刻提供所需
的精确度，制作先进节点设计的图案。
应用材料针对进阶的铬、硅化钼（MoSI）、硬质光阻层和石英（熔硅石）蚀刻应用，开发
了Tetra Z工具，以制造先进的二元式与相位移光罩（phase-shift masks），优越的系统
展现了持续的技术创新与前所未见的线宽效能，将浸润式微影术延伸应用于四重曝影与先
进的分辨率强化技术，用以确保图形转移保真度的重要功能，包括了针对所有特征尺寸进
行均匀的线性精密蚀刻，以及近乎零缺陷的图案密度。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20150511000077-260204