[课业] 电子学 问题请教
楼主: ca44512 (ca44512) 2022-03-12 10:09:49
请教两题电子学
108电子技师第三题
https://i.imgur.com/JMvWNB4.jpg
https://i.imgur.com/PsIPQiT.jpg
我想问为什么解答上的Vsig=Vgs ?
我自己写的Vgs电压是在1/gm 上的分压
另外解答的RoA是不是少算RL了？
104电子技师第五题 第2小题
https://i.imgur.com/ArzibnZ.jpg
https://i.imgur.com/amsuuEm.jpg
108电子技师第三题
https://i.imgur.com/JMvWNB4.jpg
https://i.imgur.com/PsIPQiT.jpg
我想问为什么解答上的Vsig=Vgs ?
我自己写的Vgs电压是在1/gm 上的分压
另外解答的RoA是不是少算RL了？
104电子技师第五题 第2小题
https://i.imgur.com/ArzibnZ.jpg
https://i.imgur.com/amsuuEm.jpg
作者: falsebliss (一整个莫名奇妙) 2022-03-12 14:56:00
我觉得，vgs=vsig是因为负回授电路已经拆开了，你可以比较一下小讯号电路第一张图与第二张图的差别。
作者: liushengzhe (liushengzhe.1213) 2022-03-19 12:42:00
1.如果解答的A电路你承认是正确的，那么因为A电路的输入是开路，Rs没有电流，因此vsig=vgs。至于你怎么解？你没秀出来，就无法说明差异。2.请注意题题图Rof的位置，不就已经告诉你Rof不含RL？3.并非空乏型晶体永远导通，vo2就一定得是5V，在逻辑电路中，你指的空乏NMOS是称为pull up的元件，其作用只等同一根(弱)电阻，当底下跟它连接的MOS全都off时，vo2就借由空乏NMOS 弱弱的pull up到5 V，但是当它底下的MOS有任一个导通，而且设计的宽长比使其导通能力还比空乏NMOS还强很多，那么vo2就会被扯到地。
作者: falsebliss (一整个莫名奇妙) 2022-03-20 09:23:00
关于Roa部分，我觉得应该要加上RL, Roa经过（1+AB）修正后，再扣除掉并联的RL,请问这样观念有错吗？
作者: liushengzhe (liushengzhe.1213) 2022-03-20 10:27:00
喔！抱歉我眼残，误认楼主问的是Rof！若是问Roa，则f大大您说的才是正确的！
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